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Drucktransmitter aus diffusem Silizium
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Drucktransmitter aus diffusem Silizium

Der Diffus-Silizium-Drucktransmitter von China Huaxi verfügt über einen hochpräzisen Diffusions-Siliziumchip und eine integrierte Struktur aus Edelstahl, die die Eigenschaften Anti-Interferenz, Anti-Überspannungsschutz und Hochspannungsbeständigkeit aufweist und stabile und zuverlässige Signale gewährleistet. Es eignet sich für Bereiche wie Wasseraufbereitung und Industrieautomation. Seine hohe Stabilität und Zuverlässigkeit machen es zur idealen Wahl für die Optimierung von Steuerungssystemen. Es kann die Systemleistung und Haltbarkeit effektiv verbessern.

Modell:PT100 Pressure Transmitter

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Produktbeschreibung

Merkmale des Druckmessumformers mit diffusem Silizium

1.Importierter Hochleistungs-Mikrochip aus diffusem Silizium, der als Kernsensorelement verwendet wird, Vakuum-Ölverpackungsprozess, Hervorragende Widerstandsfähigkeit gegen Überlastung, Wasserschlag und Gefrieren.
2.Hochleistungselektronische Komponenten und hervorragendes Schaltungsdesign mit hervorragender Entstörungs- und Überspannungsschutzfähigkeit. Einfacher Umgang mit Hochleistungs-Wechselrichtern und anderen starken Störungen.
3. Nachdem das Signal digitalisiert, die lineare Kompensation und die Temperaturdriftkompensation per Computer korrigiert und in einer Alterungsanlage getestet wurden, Die Ausgabepräzision und lange Stabilität werden gewährleistet.

Technische Daten des Diffus-Silizium-Drucktransmitters

1.Versorgungsspannung: (9~32)V DC
2. Ausgangssignal: 4-20mA, 2-Draht
3.Max.Last: ≧4,7k0hm
4.Stromverbrauch: ﹤4mA
5. Druckbereich: 0-16 bar
6.Überdrucksicherheit: 52 bar
7.Berstdruck: 70 bar
8.Lebenserwartung: 5.000.000 (Operationen)
9. Genauigkeit: ±0,5 % FS (bei Raumtemperatur)
10. Langzeitstabilität: ± 0,25 % FS p.a.
11. Wiederholbarkeit: ± 0,1 % FS (bei Raumtemperatur)
12. Temperaturfehler: ± 0,03 % FS/℃
13. Temperaturkompensation: 0℃...+70 ℃ max. ﹤2 %
14. Umgebungstemperatur: -40℃....+100 ℃
15.Medien im Temp.-Bereich: -40℃...+120 ℃
16. Gehäuse: Edelstahl (AISI 304)
17.Material in Kontakt mit dem Medium: Edelstahl (AISI 316)
18.Messzelle: diffundiertes Silizium
19.Dichtungsmaterial: Komplett geschweißter Prozess, kein Gummimaterial
20. Drehmomentsicherheit: 40 Nm
21. Isolationswiderstand: ﹥ 100 Mohm (35 VDC)
22. Widerstandsfähigkeit gegen Vibrationen: 20g/4-2000 Hz Cine DINEN 60068-2-6
23.Widerstandsfähigkeit gegen Erschütterungen: 500m/S²; 11ms Halbsinus DIN EN 60068-2-27
24. Schutzart: IP65
25. EMV: EMV 2014/30/EU, EN61000-6-2:2005, EN61000-6-3:2007

Produktgrößenparameter:

Diffused Silicon Pressure Transmitter
Diffused Silicon Pressure Transmitter

Produktmodell und Parameter

Temperaturtyp (T: Hochtemperaturtyp N: Normaltemperaturtyp)
Ausgangstyp (1: 0,5–4,5 V, 2: 4–20 mA, 3: 0–10 V)
Druckart (A: Absolutdruck G: Relativdruck)
Gewindeschnittstelle (1: G1/4 2: G1/2 3: M10x1 4: M20x1,5 5: M12x1,5 6: M16x1,5 7: M14x1,5 8: 7/16-UNF 9: 7/16-UNF innen 10: M18x1,5)
Elektrischer Anschluss (1: Hirschmann 2: Parker-Stecker 3: wasserdichter Stecker 4: Luftfahrtstecker 5: Kunststoff-Direktstecker 6: Stiftstecker 7: M12-Luftfahrtstecker 8: Bosch: 1928.403.968)
Genauigkeit (02: 0,2 % 05: 0,5 % 10: 1 %)
Bereich (M: Mpa B: Bar)
Modell: PT100

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